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華科智源的二極管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，最大電流可達(dá)50kA。

ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測(cè)量過程中各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。

ITC57300 MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀是美國ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試要求，且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能，是目前完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。

華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測(cè)試過程簡單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。