MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

主要測(cè)試能力

1.測(cè)試電壓：1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）

2.定時(shí)測(cè)量：為1 ns

3.漏電流限制監(jiān)視器

4.MOSFET開關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps

6.Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us

7.MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

8.IGBT感性開關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH

9.IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-750 Series

MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀選項(xiàng)

1.額外的電源供應(yīng)器

2.額外的測(cè)試頭

3.大包裝適配器

測(cè)試儀測(cè)試頭

1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時(shí)間

2.ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473

3.ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471

4.ITC57240 - 電感式開關(guān)時(shí)間為IGBT，MIL-STD 750方法3477

5.ITC57250 - （ISC）短路耐受時(shí)間，MIL-STD-750方法3479

ITC57210 開關(guān)時(shí)間測(cè)試頭

此測(cè)試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472，驗(yàn)證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時(shí)間。所測(cè)量的參數(shù)包括 ：Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

ITC57230 柵電荷測(cè)試頭

ITC57230對(duì)功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進(jìn)行考驗(yàn)。 先給MOSFET管的柵極加電壓，在柵極打開時(shí)，把一個(gè)恒電流，高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。當(dāng)漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時(shí)，被測(cè)器件的柵電荷可通過(guò)向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放（或P溝道器件，向源極導(dǎo)通）。通過(guò)監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計(jì)算出電荷量。

ITC57250 短路耐量測(cè)試頭

ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義，實(shí)行短路耐抗時(shí)間測(cè)試。在某些電路，如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時(shí)間的短路狀況。此測(cè)試就是用于驗(yàn)證器件在短路情況下所能承受的耐抗時(shí)間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動(dòng)脈寬。